施耐（C）图像（B）中所示区域的EDX光谱图。
德A的数d）样品的光学图像和产生的发光行为。全面该装置由碳纳米管阴极和磷/氧化铟锡（ITO）阳极组成。
另一方面，据中据中即需要进一步改善TENG的输出信号的控制，以便精确地调节在各种环境中系统的操作。两根导线彼此接触，心构想数心变夹在两个弹性体薄片之间，通过TENG控制导线的连接和断开。通过改变不同电极的材料、施耐结构或规模，微等离子体引起的发光可应用于不同的领域。
1889年的帕邢定律指出，德A的数TENG的间隙/输出电压必须小于空气击穿电压。全面压电陶瓷的驱动电压约为几十伏。
目前，据中据中即不同材料的接触电化效应和详细物理机制仍在研究中。
在两个DEA单元中，心构想数心变一个是目标设备，另一个是辅助设备。施耐e）文献报道的PECVD法得到石墨烯薄膜面电阻与透过率变化曲线。
德A的数红色标记范围为实际实验条件。全面c）石墨烯拉曼G峰强度随样品距离催化剂间距的变化曲线。
d）Cu-蒸气-催化剂辅助玻璃上石墨烯生长的示意图，据中据中即其中铜箔位于衬底正上方，但无物理接触。标记为1,2和3的每个环分别表示低，心构想数心变中和高水平。
